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机译:先进的互补金属氧化物半导体技术的超低k时间依赖性介电击穿的软击穿特性
IBM Microeletronics, 1000 River Road, Essex Junction, Vermont 05452, USA;
机译:先进的互补金属氧化物半导体技术的超低k时间依赖性介电击穿的软击穿特性
机译:先进技术节点的时变介电击穿可靠性分析的一种现实方法
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究Cu /超低k电介质随时间变化的介电击穿的失效机理分析和工艺改进
机译:通过双电压斜坡电介质击穿(DVRDB)测试来预测低k / ULK互连电介质的时变电介质击穿(TDDB)特性的改进berman模型
机译:加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究的Cu /超低k电介质的时间介电击穿失效机理分析及工艺改进
机译:半导体测量技术:抑制高压电容测量的过早介电击穿。