机译:使用同步加速器X射线光刻技术在0.5μm p沟道MOSFET中由热电子引起的不稳定性
机译:适用于0.5- / spl mu / m标准CMOS技术的高压设备
机译:具有0.5μm器件的11ns 8K * 18 CMOS静态RAM
机译:使用同步加速器X射线光刻技术构图的0.5μmCMOS器件的热载流子诱导的不稳定性
机译:分步和快速压印光刻:用于超高密度磁性数据存储设备的图案化介质的制造。
机译:X射线同步加速器粉末衍射探测HoCo0.5Cr0.5O3的反常热膨胀
机译:CmOs器件和电路的热载流子可靠性评估
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性