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1.
NANOTOPOGRAPHY CONTROL FOR WAFER-TO-WAFER HYBRID BONDING BY CMP
机译:
CMP的晶片到晶圆混合粘合的纳米复印件控制
作者:
Nancy Heylen
;
Soon-Wook Kim
;
Tae-Gon Kim
;
Lan Peng
;
Philip Nolmans
;
Herbert Struyf
;
Andy Miller
;
Gerald Beyer
;
Eric Beyne
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
2.
New Improvement for 200 mm legacy CMP tools for in-situ control of polish uniformity to enable production worthy thick Cu CMP
机译:
200 mm遗留CMP工具的新改进,用于原位控制波兰均匀性,以使生产价值厚厚的Cu CMP
作者:
Ayse Karagoz
;
Patrick Ong
;
Andrew Cockburn
;
Jamie Leighton
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
3.
Theoretical and experimental approach of swing arm conditioner for prediction of pad profile in CMP
机译:
摇摆扶手条件的理论与实验方法,用于预测CMP
作者:
Hyoungjae Kim
;
Hanchul Cho
;
Chuljin Park
;
Haedo Jeong
;
Sungho Shin
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
4.
A Quantitative Analysis of Ceria CMP Microscratch for IC Yield Correlation Learning
机译:
IC屈服相关学习Ceria CMP微颤动的定量分析
作者:
Tae Hoon Lee
;
Hong Jin Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
5.
Study of real time chamber monitoring for the contamination factor on the Post CMP Clean progress
机译:
基于CMP清理进展的污染因子实时室监测研究
作者:
Sangyoon Shin
;
Joonho Jang
;
Chulmin Shin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
6.
Consumables compatibility for dielectric planarization on package substrate
机译:
封装衬底上的介电平坦化的消耗性兼容性
作者:
Seonho Jeong
;
Dasol Lee
;
Hyunjin Kim
;
Haedo Jeong
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
7.
CMP process development for radiation detector fabrication
机译:
辐射探测器制造的CMP工艺开发
作者:
Ina Schubert
;
Klaus-Dieter Preuss
;
Martin Feltz
;
Tobias Wittig
;
Knut Gottfried
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
8.
Chase of Nanometer Topography in CMP for 3D Integration
机译:
CMP纳米纳米地形追逐3D集成
作者:
Catherine Euvrard
;
Yorrick Exbrayat
;
Cedric Perrot
;
Aurelien Seignard
;
Sebastien Mermoz
;
Viorel Balan
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
9.
Modified Kinematic Model for Predicting Contact Points of Conditioner in CMP
机译:
修改了CMP中调节剂接触点的改进的运动模型
作者:
Jihye Choi
;
Eungcher Kim
;
Cheolmin Shin
;
Yinhua Jin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical mechanical planarization;
Pad cut rate;
Pad profile;
Conditioning process;
Kinematic analysis;
10.
Control of Silica Particle Deposition for Fabrication of Post CMP Cleaning Ability Evaluation Wafer
机译:
用于制造后CMP清洗能力评估晶片制备的二氧化硅颗粒沉积
作者:
Younsun Cho
;
Seung-Ki Chae
;
Cheolmin Shin
;
Yinhua Jin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post CMP Cleaning;
Standard wafer;
Cleaning evaluation;
Cleaning condition;
Abrasive particle;
11.
Evaluation of Polyurethane Pads Properties for Effective Use in Planarization Process
机译:
聚氨酯焊盘性能的评价,用于平面化过程中的有效应用
作者:
Hyunjae Chung
;
Cheolmin Shin
;
Yinhua Jin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
12.
Cu Barrier Metal Slurry for Reducing Defect-Level and Enhancing Removal Performances
机译:
Cu阻挡金属浆料降低缺陷水平并增强去除性能
作者:
Seungchul Hong
;
Jinhyuk Lim
;
Hyungoo Kang
;
Gyuan Jin
;
Byoungsoo Kim
;
Seunghyun Lee
;
Youngho Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Copper barrier metal slurry;
Defect reduction;
Dishing;
13.
Characterization of incoming PVA brush by an ultrasonication break-in process
机译:
通过超声波破碎过程来表征传入的PVA刷子
作者:
Jung-Hwan Lee
;
Hae-Jung Pyun
;
Muthukrishnan Purushothaman
;
Nagarjuna Reddy Paluvai
;
Byoung-Jun Cho
;
Kwang-Min Han
;
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Hirokuni Hiyama
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
14.
Effect of Mixed Abrasive Slurry during Tungsten CMP Process
机译:
混合磨料浆料在钨CMP过程中的影响
作者:
Kangchun Lee
;
Jihoon Seo
;
Jinok Moon
;
Kijung Kim
;
Myeongjae Lee
;
Keungtae You
;
Ungyu Paik
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
15.
Enhancement of reaction rate of Cu film by electrolyte shot
机译:
电解质射击增强Cu膜反应速率
作者:
Dasol Lee
;
Jongwoo Lee
;
Seonho Jeong
;
Inho Park
;
Haedo Jeong
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
16.
Formation Mechanism of Cu Flake and Ring Scratch in the Advanced Device Manufacturing
机译:
高级设备制造中Cu薄片和环划痕的形成机制
作者:
Sung Pyo Jung
;
Si Gyung Ahn
;
Ji Chul Yang
;
Hong Jin Kim
;
Madhav Kalaga
;
Gerett Yocum
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
17.
The effect of Non-TMAH based post-CMP cleaning chemical on Cu CMP
机译:
基于TMAH基CMP清洗化学对Cu CMP的影响
作者:
Jaeseung Im
;
Mincheol Kang
;
Heejin Kim
;
Pyo Lim
;
Jungi Choi
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
18.
Nano-Scale Scratch Impact on 7nm Device and its Improvement by Predictable CMP Process Conditions
机译:
纳米规模对7nm设备的影响及其可预测的CMP工艺条件的改进
作者:
Ji Chul Yang
;
Dinesh Kumar Penigalapati
;
Wen Yin Lu
;
Tai Fong Cho
;
Alison Snyder
;
Dinesh Koli
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
19.
Control of Residual SiN Defects during Cap SiN CMP in Advanced Logic Device Manufacturing
机译:
高级逻辑设备制造中CAP中CMP中剩余SIN缺陷的控制
作者:
Jahyung Han
;
Xingzhao Shi
;
Changhong Wu
;
Monica Akkullu
;
Dinesh Koli
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
20.
Effects of slurry abrasives on dry film CMP
机译:
泥浆磨料对干膜CMP的影响
作者:
Minjong Yuh
;
Soocheon Jang
;
Hyoungjae Kim
;
Haedo Jeong
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
21.
Effect of slurry additives on selectivity between polymer and Cu in advanced package substrate CMP
机译:
浆料添加剂对高级包装衬底CMP聚合物与Cu的选择性的影响
作者:
Soocheon Jang
;
Minjong Yuh
;
Heado Jeong
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
22.
Effect of Guanidine Sulfate on the CMP of Ru in H_2O_2 Based Slurry
机译:
硫酸胍硫酸盐对基于H_2O_2浆液中CMP的影响
作者:
Guang Yang
;
Peng He
;
Xin-Ping Qu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
23.
Pad Surface Texture Modulation through Adapted Conditioner and Pad Intrinsic Microstructure
机译:
焊盘表面纹理通过改进的护发素和垫固有组织进行调制
作者:
Ratanak Yim
;
Daniel Scevola
;
V. Balan
;
E. Gourvest
;
F. Salvatore
;
S. Valette
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
24.
Study on the mechanisms of Si fine polishing with water-soluble polymer
机译:
水溶性聚合物Si精细抛光机理研究
作者:
Yangang He
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Si;
Fine Polishing;
Water-Soluble Polymer;
Haze;
Mechanism;
25.
The Effect of chelating Agent in TMAH Based Post Cu-CMP Cleaning Solution
机译:
螯合剂在TMAH基后Cu-CMP清洗溶液中的影响
作者:
Seongsik Jeon
;
Sanghyuk Jeon
;
Ahhyeon Lim
;
Sokho Yi
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post CMP cleaning;
Slurry;
CMP;
Cu;
TMAH;
BTA;
26.
Atomic Insights into Material Removal Mechanisms in Si and Cu Chemical Mechanical Polishing Processes: ReaxFF Reactive Molecular Dynamics Simulations
机译:
Si和Cu化学机械抛光工艺中的原子洞察材料去除机制:Reaxff反应性分子动力学模拟
作者:
Jialin Wen
;
Tianbao Ma
;
Xinchun Lu
;
Weiwei Zhang
;
Adri C. T. van Duin
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical-mechanical Polishing;
Molecular dynamics simulations;
ReaxFF;
H_2O_2;
Glycine;
Material removal mechanism;
27.
Stabilization method of transition metal catalyst for high efficiency catalyst-referred etching (CARE) of silicon carbide
机译:
碳化硅高效催化剂引用蚀刻(护理)过渡金属催化剂的稳定化方法
作者:
Daisetsu Toh
;
Ai Isohashi
;
Tatuaki Inada
;
Yuta Nakahira
;
Hideka Kida
;
Satoshi Matuyama
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Functional material;
Polishing;
Step-flow-type etching;
Catalyst;
Transition metal;
Nickel;
Potential control;
28.
In-line Real-time Conductivity Technique for Monitoring of Liquid Chemical Concentration during Semiconductor Manufacturing
机译:
用于监测半导体制造过程中液体化学浓度的在线实时电导率技术
作者:
Hong Jie
;
Atul Kulkarni
;
Hyeong-U Kim
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Conductivity;
Real time;
Chemical concentration;
29.
Development of Novel Cleaning Solution for Post Chemical Mechanical Planarization Silicon Wafer
机译:
化学机械平坦化硅晶片新型清洁解决方案
作者:
Junghwan Song
;
Na Han
;
Kihong Park
;
Sokho Yi
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post CMP cleaning;
Oxide film;
PE-TEOS;
Ceria slurry;
XPS analysis;
30.
Development of Advanced CMP Process for the Minimization of Hydrophobic Interaction based on the Surface Treatment Technology
机译:
基于表面处理技术的疏水相互作用的先进CMP工艺的开发
作者:
Hyuk-Min Kim
;
Jee-Hwan Heo
;
Jung-Eun Kang
;
Seung-Ho Park
;
Jong-Hyuk Park
;
Il-Young Yoon
;
Bo-Un Yoon
;
Seok-Woo Nam
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
31.
Highly Efficient Cleaning Formulations for Removing Ceria Slurry Residues in Post-CMP Applications
机译:
高效清洗配方,用于去除CMP后应用中的二氧化铈浆料残留物
作者:
Paul Bernatis
;
Jhih-Fong Lin
;
Pei-Yu Tai
;
Yi-Han Lin
;
Chia-Hui Bai
;
Yi-Hao Tseng
;
Akira Kuroda
;
Chi Yen
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post-CMP;
Ceria;
STI;
Cleaning;
32.
Optimization of WC-Co Composition for CVD Diamond Pad Conditioner
机译:
CVD金刚石垫护发机WC-CO组合物的优化
作者:
Myeong-Jun Kim
;
Heon-Yul Ryu
;
Jung-Hwan Lee
;
Ji-Woo Kim
;
Sooji Cho
;
Dabin Hyun
;
Hae-geun Jee
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical mechanical planarization;
Pad conditioner;
WC-Co alloy;
Hot-filament CVD diamond film;
Wear resistance;
33.
The effect of surface charge using amino acid and cationic surfactant for high material removal rate (MRR)
机译:
使用氨基酸和阳离子表面活性剂的表面电荷对高材料去除率(MRR)的影响
作者:
Hanna Sun
;
Ye-Chan Kim
;
In-Kyung Park
;
Jae-Da Nam
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
High removal rate;
Surface charge;
Surfactants;
Chemical-mechanical Polishing;
34.
CMP Process for Wafer Backside Planarization
机译:
晶圆背面平面化的CMP工艺
作者:
Andreas Kruger
;
Marco Lisker
;
Andreas Trusch
;
Andreas Mai
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical Polishing;
ICPT 2017;
Wafer Backside;
Surface Roughness;
Wafer Bonding;
35.
Dummy Gate Amorphous Silicon CMP Using In-situ Profile CLC Endpoint System for Advanced FinFET
机译:
伪门非晶硅CMP使用原位配置文件CLC端点系统,用于高级FinFET
作者:
Diana Tsvetanova
;
Takeshi Iizumi
;
Ban Ito
;
Gael Royere
;
Fabien Durix
;
Katia Devriendt
;
Patrick Ong
;
Herbert Struyf
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
A-Si CMP;
SOPM CLC;
FinFET;
36.
Advanced Optical Particle Sizing for Non-Invasive Slurry analysis
机译:
用于非侵入性浆料分析的先进光学粒子尺寸
作者:
Rashid Mavliev
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical Polishing;
Slurry;
Particles;
Optical;
Sizing;
37.
Development of Modularized Electrode in Electro-Kinetic Force Assisted Chemical Mechanical Planarization for Through-Silicon-Via Wafer Planarization
机译:
通过晶圆平坦化的电动动力辅助化学机械平坦化模块化电极的研制
作者:
Chao-Chang A. Chen
;
Min-Yue Xue
;
Yu-Ming Lin
;
Wei-Chin W. Pu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
EKF-CMP;
Cu CMP;
TSV-CMP;
Removal Rate;
Dishing;
38.
Observation of the real contact area between PVA brush and surface using polarization plate and evanescent field
机译:
使用偏振板和渐逝场观察PVA刷子与表面的真正接触区域
作者:
Masanao Hanai
;
Toshiyuki Sanada
;
Akira Fukunaga
;
Hirokuni Hiyama
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
PVA brush;
Real contact area;
Total reflection microscope;
Polarization;
Bubble;
39.
Surface Flatness and Roughness Synchronized Control in CMP Process of Silicon Mirror
机译:
硅镜CMP过程中的表面平坦度和粗糙度同步控制
作者:
Bocheng Jiang
;
Dewen Zhao
;
Xinchun Lu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Surface Flatness and Roughness;
Synchronized Control;
CMP;
Silicon Mirror;
40.
In situ imaging of local corrosion cells on copper fine wires in solutions
机译:
溶液中铜细丝局部腐蚀细胞的原位成像
作者:
Chikako Takatoh
;
Shoichiro Ogata
;
Takuya Kitagawa
;
Takahiro Okamoto
;
Uno Megumi
;
Shohei Shima
;
Akira Fukunaga
;
Takeshi Fukuma
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
In situ imaging;
Local corrosion cell;
Electric potential microscopy;
41.
High-efficiency Planarization of GaN Wefers by Catalyst-Referred Etching Employing Photoelectrochemical Oxdation
机译:
通过采用光电化学氧化的催化剂引用蚀刻GaN Wefers的高效平面化
作者:
Hideka Kida
;
Ai Isohashi
;
Tatsuaki Inada
;
Satoshi Matsuyama
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Catalyst-referred etching;
Chemical-mechanical Polishing;
CARE;
Gallium Nitride;
Photoelectrochimical reaction;
Catalyst;
42.
Effect of colloidal silica particles on subsurface damage of fused silica optics during CMP process
机译:
胶体二氧化硅颗粒对CMP工艺期间熔融二氧化硅光学地下损伤的影响
作者:
Zou Chunli
;
Xu Li
;
Kang Chengxi
;
Zhang Xin
;
Pan Guoshun
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical Polishing;
Fused silica;
Subsurface damage;
43.
Investigations of Annealing Effect on TSV CMP
机译:
对TSV CMP的退火效应的研究
作者:
Can Rao
;
Tongqing Wang
;
Jie Cheng
;
Yuhong Liu
;
Xinchun Lu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Through-silicon Via;
Chemical-mechanical Planarization;
Annealing;
Via dishing;
Non-uniformity;
44.
Corrosion inhibition of Cobalt during post-Chemical Mechanical Planarization Cleaning
机译:
化学机械平面化清洗过程中钴的腐蚀抑制作用
作者:
Toshiaki Shibata
;
Tomohiro Kusano
;
Ken Harada
;
Kan Takeshita
;
Yasuhiro Kawase
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post-Chemical Mechanical Planarization Cleaning;
Cobalt;
Corrosion;
45.
Chemical Generation Mechanism of Copper Flakes on Copper Wafer Surface from CMP Slurry and Post CMP Cleaning Chemistry
机译:
CMP浆料铜薄片表面铜薄片的化学发电机制及CMP清洗化学
作者:
Byoung-Jun Cho
;
Nagarjuna R. Paluvai
;
Muthukrishanan Purushothaman
;
Jung-Hwan Lee
;
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Hirokuni Hiyama
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cu CMP;
Metal defects;
Cu flakes;
Redox reaction;
PH;
46.
Torque measurements generated by a rotating PVA brush without a skin layer
机译:
由旋转PVA刷子产生的扭矩测量没有皮肤层
作者:
Masayoshi Ito Jr.
;
Toshiyuki Sanada
;
Akira Fukunaga
;
Hirokuni Hiyama
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post CMP Cleaning;
PVA brushes;
Skin layer;
Friction;
Wettability;
47.
Electrochemical study of SiGe in different alkaline chemical formulations
机译:
不同碱性化学制剂中SiGe的电化学研究
作者:
Shenghua Yang
;
Baoguo Zhang
;
Yuling Liu
;
Chenwei Wang
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
SiGe;
Channel material;
Electrochemistry;
Corrosivity;
CMP;
48.
Study on effect of different complexing agents and inhibitors on Co corrosion in H_2O_2 based alkaline solution by EQCM
机译:
不同络合剂和抑制剂对碱液溶液CO腐蚀对碱性溶液CO腐蚀的影响
作者:
Peng He
;
Guang Yang
;
Xin-Ping Qu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cobalt;
Complexing Agent;
Electrochemical Quartz Crystal Microbalance;
Chemical Mechanical Polishing;
49.
A Study of Cu inhibitor removal by alkaline agent in post CMP cleaning process
机译:
CMP清洗过程中碱性试剂的Cu抑制剂去除研究
作者:
Baohong Gao
;
Baimei Tan
;
Yuling Liu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP;
Cleaning;
BTA;
Alkaline;
XPS;
50.
Proposal of Spraying Pure Water Method under the Electric Field and Its Behavior Observation in the Cleaning Process of CMP
机译:
CMP清洁过程中电场喷涂纯净水法的提议及其行为观察
作者:
Masanori Fujimoto
;
Michio Uneda
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cleaning Process;
Electric Field;
Spraying Pure Water Method;
Velocity of jetted droplet;
Ejection angle;
51.
Preparation of Ordered Mesoporous SiO_2/Mc Nanocomposite Abrasives and Their Chemical Polishing Behavior on Fused Silicon Substrates
机译:
熔融硅基衬底上有序介孔SiO_2 / MC纳米复合磨料的制备及其化学抛光行为
作者:
Xu Li
;
Zou Chunli
;
Zhang Xin
;
Kang Chengxi
;
Luo Guihai
;
Pan Guoshun
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Mesoporous Nanocomposite Abrasives;
Core/shell Structure;
Fused Silica;
CMP;
52.
Effect of Corrosion Inhibitor and Non-ionic Surfactant on CMP of Cu/Co Barrier Stack
机译:
腐蚀抑制剂和非离子表面活性剂对Cu / Co屏障叠层CMP的影响
作者:
Liang Jiang
;
Yongyong He
;
Linmao Qian
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical mechanical planarization;
Cu/Co barrier stack;
Corrosion inhibitor;
Non-ionic surfactant;
53.
Stabilization of removal rate of silica glass on catalyst-referred etching by cleaning catalyst surface
机译:
清洁催化剂表面稳定二氧化硅玻璃去除率催化剂引用蚀刻
作者:
Yuta Nakahira
;
Ai Isohashi
;
Tatsuaki Inada
;
Daisetsu Toh
;
Hideka Kida
;
Satoshi Matsuyama
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Catalyst-referred etching;
Planarization;
SiO_2;
Potential control;
H_2 water;
54.
Improvement of Material Removal Efficiency by Optimization of Anisotropic Contact of Pad Asperities
机译:
通过优化垫粗糙的各向异性接触的材料去除效率提高
作者:
Norikazu Suzuki
;
Shingo Oshika
;
Hirotaka Misono
;
Yohei Hashimoto
;
Hozumi Yasuda
;
Yoshihiro Mochizuki
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Material removal rate;
Dress simulation;
Pad asperity;
Optimization;
Feret's diameter;
55.
Chemical Mechanical Polishing of SiC Substrate Using Enhanced Slurry Containing Nanobubbles with Active Gas Generated by Plasma
机译:
SiC基板的化学机械抛光使用含有纳米泡的增强浆料具有纳米泡的含有血浆产生的活性气体
作者:
Shinya Mizuuchi
;
Michio Uneda
;
Kazutaka Shibuya
;
Yoshio Nakamura
;
Daizo Ichikawa
;
Ken-ichi Ishikawa
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP;
Removal Rate;
Enhanced Slurry;
Nanobubbles;
Silicon Carbide;
56.
DENSITY EVALUATION OF SUB-100 nm PARTICLES BY USING ELLIPSOMETRY
机译:
使用椭圆形测定法对亚100nm粒子的密度评估
作者:
Eiichi Kondoh
;
Katsuya Suzuki
;
Lianhua Jin
;
Satomi Hamada
;
Shohei Shima
;
Hirokuni Hiyama
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Ellipsometry;
Particle detection;
Si wafer;
Fluorescence microscopy;
Inkjet printer;
57.
Research on Multi-Method Endpoint Detection in Chemical Mechanical Planarization Process
机译:
化学机械平面化过程中多种方法终点检测研究
作者:
Hongkai Li
;
Xinchun Lu
;
Jianbin Luo
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical Mechanical Planarization;
End-point Detection;
Eddy Current;
Optical Method;
Motor Power;
58.
A study of CMP Edge Profile for Production Wafers
机译:
用于生产晶圆的CMP边缘轮廓研究
作者:
Akira Isobe
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical-mechanical Polishing;
Edge profile;
Retainer ring;
Zone control;
Planarity;
Polishing pad;
59.
Measurement of Removal Force in DI-Water for Fine Particles with Sub-nanoNewton Resolution
机译:
用亚纳尼瓦顿分辨率测量二水分中的去除力
作者:
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Chikako Takatoh
;
Yutaka Wada
;
Akira Fukunaga
;
Hiroshi Sobukawa
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cleaning;
Particle;
Removal force;
In wet condition;
AFM;
Friction mode;
60.
Novel Method for Nano-Surface Analysis of Cu CMP Chemicals by AFM and Microfluidic Chip System
机译:
AFM和微流体芯片系统Cu CMP化学品纳米表面分析的新方法
作者:
Heon-Yul Ryu
;
Kwang-Min Han
;
Byoung-Jun Cho
;
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Hirokuni Hiyama
;
Tae-Gon Kim
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cu slurry chemicals;
Microfluidics chip;
Atomic force microscope;
Selective surface treatment;
Step height measurement;
61.
Post-CMP Cleaners for Tungsten Advanced Nodes: 10 nm and 7 nm
机译:
用于钨优先节点的CMP清洁剂:10nm和7 nm
作者:
Ruben R. Lieten
;
Daniela White
;
Thomas Parson
;
Shining Jenq
;
Don Frye
;
Michael White
;
Lieve Teugels
;
Herbert Struyf
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical polishing;
Tungsten;
N10;
N7;
TiN barrier;
62.
Application of Machine Learning and Neural Networks for Generation of Pre-CMP Profiles of Advanced Deposition Processes for CMP Modeling
机译:
机器学习和神经网络在CMP建模前进地沉积过程中产生前CMP型材的应用
作者:
Ruben Ghulghazaryan
;
Jeff Wilson
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical-mechanical polishing;
CMP;
CMP modeling;
Deposition process modeling;
Spin-on dielectric;
HDP-CVD;
Flowable CVD;
EHARP;
Machine learning;
Neutral networks;
63.
Optimization of Cu Corrosion Inhibitor Concentration to Reduce Organic Defects
机译:
Cu腐蚀抑制剂浓度的优化,降低有机缺陷
作者:
Byoung-Jun Cho
;
Hae-Jung Pyun
;
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Hirokuni Hiyama
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post-Cu CMP cleaning;
Corrosion inhibitor concentration;
BTA;
M-BTA;
Electrochemical impedance spectroscopy;
Organic defects;
64.
Development of Post InGaAs CMP Cleaning Process for sub 10nm Device Application
机译:
SUB 10nm设备应用后INGAAS CMP清洁过程的开发
作者:
Muthukrishnan Purushothaman
;
In-chan Choi
;
Hyun-Tae Kim
;
Lieve Teugels
;
Tae-Gon Kim
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post InGaAs CMP Cleaning;
HCl/H_2O_2 solution;
Surfactant;
Megasonic process;
Particle removal efficiency;
Material loss;
65.
BEoL post CMP cleaning challenges for 22 nm FD-SOI and beyond
机译:
BEOL POST CMP清洁挑战22 NM FD-SOI及更远
作者:
Johannes Koch
;
Stephan Rehschuh
;
Lukas Gerlich
;
Abitha Dhavamani
;
Philipp Steinke
;
Robert Krause
;
Johannes Naue
;
Sascha Bott
;
Boris Vasilev
;
Dirk Breuer
;
Robert Seidel
;
Axel Preusse
;
Johann Wolfgang Bartha
;
Benjamin Uhlig
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical-mechanical polishing;
Post CMP clean;
Wafer cleaning;
Surface analysis;
Electrical performance;
Breakdown voltage;
22 nm FD-SOI;
66.
Application of Slurry Injection System (SIS) to Advanced Deep-Trench (DT) CMP
机译:
浆料喷射系统(SIS)在深沟(DT)CMP中的应用
作者:
Amarnath Jha
;
Derek Stoll
;
Wei-Tsu Tseng
;
Changhong Wu
;
Ji Chul Yang
;
Ara Philipossian
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Deep-trench isolation;
Chemical-mechanical Planarization;
Slurry Injection System;
Slurry application;
Cost reduction;
67.
In-line Atomic Resolution Local Nanotopography Variation Metrology for CMP Process
机译:
CMP工艺的局部原子分辨率局部纳米复印机计量
作者:
Tae-Gon Kim
;
Nancy Heylen
;
Soon-Wook Kim
;
Tom Vandeweyer
;
Ah-Jin Jo
;
Ju Suk Lee
;
Byoung-Woon Ahn
;
Sang-Joon Cho
;
Sang-il Park
;
Bernd Irmer
;
Sebastian Schmidt
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
In-line metrology;
Atomic force microscopy;
Nanotopography;
Local variation;
Logic;
FinFET;
3D interconnect;
Wafer-to-wafer hybrid bonding;
High density carbon tip;
Process control;
68.
Study on Fullerenol as the Additive to Remove BTA Film Remaining on Copper Surface in Chemical Mechanical Polishing Process
机译:
富勒烯酚作为化学机械抛光过程中铜表面剩余的BTA膜的添加剂研究
作者:
Yueh Hsun Tsai
;
Keisuke Suzuki
;
Chao-Chang A. Chen
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Fullerenol;
Post Cu CMP cleaning process;
Benzotriazole;
ICPT 2017;
XPS;
Contact angle;
69.
CMP Process for (110)-Germanium Roughness Reduction
机译:
CMP工艺(110) - 粒子粗糙度减少
作者:
Marco Lisker
;
Andreas Kruger
;
Grzegorz Lupina
;
Yuji Yamamoto
;
Andreas Mai
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical Polishing of Ge;
FEoL;
Emerging technologies in CMP;
Graphene processing;
CVD;
AFM;
Optical profilometer;
70.
Novel Copper Barrier Slurry for Advanced Cu CMP Process
机译:
高级Cu CMP工艺的新型铜屏障浆料
作者:
Lucas Chao
;
Steve Hung
;
Tommy Huang
;
Julia Chou
;
William Yang
;
Michael Luo
;
Wendy Kuo
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP;
Chemical mechanical Polishing;
Selectivity;
Defectivity;
Stability;
Advanced copper barrier slurry;
LK slurry;
71.
Pad Conditioning for Poromeric Materials
机译:
焊盘调节散孔材料
作者:
Andrew Scott Lawing
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Poromeric;
Corfam;
Pad conditioning;
Structured CVD diamond;
Vertically oriented pore structure;
Buffpad;
Barrier pad;
Soft pad;
72.
Device pattern impact on optical endpoint detection by interferometry for STI CMP
机译:
DEVICE模式对STI CMP干涉测量的光学端点检测的影响
作者:
S. Bourzgui
;
A. Roussy
;
J. Blue
;
G. Georges
;
E. Faivre
;
K. Labory
;
A. Allard
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Chemical-mechanical Polishing;
Optical endpoint;
Inter-ferometry;
STI CMP;
Device pattern;
73.
Innovative CMP Solution for Advanced STI Process
机译:
Fnovtbate CBM Salton Load Aravaneck
作者:
Ji Gang Pan
;
Steve Hung
;
Qiao Feng Zhang
;
Chen Lu
;
Yi Cao
;
Bainian Qian
;
Daphne Chu
;
Elton Su
;
William Yang
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP consumables;
STI;
Pads;
IKONIC 4000 series pad;
74.
Investigation of Mass Transfer Speed Theory on chemical mechanical polishing
机译:
传质速度理论对化学机械抛光的研究
作者:
Yuling Liu
;
Yanlei Li
;
Chenwei Wang
;
Liu Yang
;
Jianchao Wang
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Mass transfer speed;
Theory;
Chemical mechanical polishing;
75.
MINIMIZE TUNGSTEN PLUG/VIAS RECESS BY CO-INHIBITOR SYSTEM PCMP W CLEANER
机译:
通过共同抑制器系统PCMP W清洁剂最小化钨塞/孔凹槽
作者:
Ken Chao
;
Max Tsai
;
Joy Chen
;
Chi Yen
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
76.
Carbon Compound Particle Residue Defect Remove by CMP Post Clean
机译:
CMP柱清洁碳复合颗粒残留物缺陷
作者:
Shih-Hsi Chen
;
Shih-Ci Yen
;
Ming-Hsiang Chen
;
Ming-Hong Chen
;
Chiao-Wei Liu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Tungsten;
CMP;
Carbon compound particle;
Defect;
Cleaner;
77.
W CMP Tiny Particle Reduction Solution
机译:
W CMP微粒还原溶液
作者:
Kun Li
;
Tongqing Wang
;
Shumao Zheng
;
Xinchun Lu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
W CMP;
W plug;
Tiny particle;
Chemical sequence;
HF etching;
78.
The Behaviours of BTA and SDS in the Alkaline Slurry during the Backside CMP of Heterogeneous Microstructure of TSV Wafers
机译:
在TSV晶片异质微结构的背面CMP期间,BTA和SDS在碱性浆料中的行为
作者:
Bing Quan Wang
;
Yu Hong Liu
;
Xin Chun Lu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
TSV;
CMP;
Heterogeneous Microstructure;
BTA;
SDS;
AFM;
79.
Effect of Al_2O_3 and SiO_2 Abrasives on the CMP of Molybdenum using Different Polishing Parameters
机译:
使用不同抛光参数的Al_2O_3和SiO_2磨料对钼CMP的影响
作者:
Panagiotis Kalantzis
;
Lieve Teugels
;
Stefan De Gendt
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP Mo;
Alumina;
Silica;
Slurry;
Hydrogen peroxide;
80.
EFFECT OF FLOW RATE AND CONCENTRATION ON FILTRATION EFFICIENCY OF COLLOIDAL ABRASIVES
机译:
流速和浓度对胶体磨料过滤效率的影响
作者:
Mia Wu
;
James Lee
;
Henry Wang
;
Steven Hsiao
;
Bob Shie
;
H. J. Yang
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical mechanical planarization;
Cmp;
Filtration;
Retention;
Ceria;
Silica;
Abrasive;
Slurry;
81.
Chemo-Mechanical Planarization of Germanium Using Potassium Periodate based Titania Slurries
机译:
基于钾的二氧化钛浆液使用钾的化学机械平面化
作者:
Apeksha Gupta
;
S. Noyel Victoria
;
R. Manivannan
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Chemical mechanical planarization;
Germanium;
Anatase titania;
Potassium metaperiodate;
Removal rate;
82.
Influence of different polishing parameters on sapphire substrate CMP
机译:
不同抛光参数对蓝宝石衬底CMP的影响
作者:
Xinhuan Niu
;
Xin Zhao
;
Da Yin
;
Jianchao Wang
;
Chenwei Wang
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Sapphire substrate;
Chemical-mechanical polishing (CMP);
Removal Rate;
Surface roughness;
Polishing parameters;
83.
STI CMP Endpoint Robustness Improvement through Stribeck Curve Study
机译:
STI CMP端点通过Stribeck曲线研究改进
作者:
C. Perrot
;
R. Bouis
;
N. Daventure
;
C. Euvrard
;
V. Balan
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization;
Friction torque;
Motor current endpoint system;
Stribeck curve;
High selective slurry process;
84.
Planarization of SiC wafer using photo-catalyst incorporated pad
机译:
使用光催化剂掺入垫的SiC晶片平面化
作者:
Yan Zhou
;
Guoshun Pan
;
Chunli Zou
;
Guihai Luo
;
Haimei Luo
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
SiC;
Planarization;
Polishing;
Photo-catalyst;
Pad;
Removal;
85.
Cherishing Old Knowledge, Acquiring New - Past, Present and Future of CMP Technology
机译:
珍惜旧知识,获取新的,现任和未来的CMP技术
作者:
Manabu Tsujimura
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
CMP;
Planarization;
Polish profile control;
Nanotopography;
Uniformity;
Future of CMP;
Semiconductor device;
86.
Effect of Deposition Methods on Material Removal Rate During Nickel CMP
机译:
沉积方法对镍CMP中材料去除率的影响
作者:
Yanni Wang
;
Lieve Teugels
;
Kevin Vandersmissen
;
Stefan De Gendt
;
Sitaraman Krishnan
;
Herbert Struyf
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Nickel Films;
Chemical Mechanical Planarization;
Deposition Methods;
Polishing Behaviour;
Hydrogen Peroxide;
Glycine;
87.
Evaluation of Competitive Reaction of Various Cu CMP Slurry Components
机译:
各种Cu CMP浆料组分的竞争反应评价
作者:
Kwang-Min Han
;
Byoung-Jun Cho
;
Jung-Hwan Lee
;
Heon-Yul Ryu
;
Shohei Shima
;
Satomi Hamada
;
Hirokuni Hiyama
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Cu CMP;
Cu corrosion inhibition;
BTA;
Citric Acid;
Hydrogen Peroxide;
AFM;
Open Circuit Potential;
Electrochemical Impedance Spectroscopy;
Potentiodynamic Polarization;
88.
Improvement of Ruthenium Polishing Rate by Addition of Guanidinium Ions
机译:
通过添加胍离子来改善钌抛光率
作者:
Chenwei Wang
;
Yichen Du
;
Jianwei Zhou
;
Yuling Liu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Ruthenium;
Guanidiniumions;
Potassium ions;
Alkaline;
CMP;
89.
Controllable CMP of Oxide Film by Using Colloidal Ceria Slurry
机译:
使用胶体二氧化铈浆料可控CMP氧化物膜
作者:
Syuhei Kurokawa
;
Takaaki Toyama
;
Terutake Hayashi
;
Eisaku Suda
;
Jun Tokuda
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Colloidal ceria;
Oxide film;
Additive;
Aggregation;
Surface roughness;
90.
Inline Refractive Index Replaces Auto-titration in Qualifying H_2O_2 Concentration in CMP of Tungsten
机译:
内联折射率取代了钨中CMP中的符合H_2O_2浓度的自动滴定
作者:
Karl Urquhart
;
Robert Johnston
;
Marcus Kavaljer
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Slurry delivery system with H_2O_2 spike function in day tank;
Inline refractive index concentration measurements;
Monitoring of incoming raw material;
91.
The Numerical Investigation of the Effect of Withdrawing Velocity on Marangoni Drying Performance in the Post CMP Cleaning
机译:
提取速度对Marangoni干燥性能在CMP清洗中的效果的数值研究
作者:
Changkun Li
;
Dewen Zhao
;
Xinchun Lu
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Post-cleaning;
Marangoni Drying;
Numerical Investigation;
Withdrawing Velocity;
Residual Film Thickness;
Flow Field;
92.
Study on the Grit Angle of Single Diamond Dressing on CMP Pads
机译:
CMP垫上单金刚石敷料的砂砾角度研究
作者:
Chao-Chang Arthur Chen
;
Yi-Ting
;
Tzu-Hao Li
;
Hirokuni Hiyama
;
Yutaka Wada
;
Pei-Jiun Ricky Shiu
;
Keiichi Kimura
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Diamond grit angle;
Diamond dressing;
Polyurethane pad;
Pad cutting rate;
CMP;
93.
Consumables compatibility for dielectric planarization on package substrate
机译:
封装衬底上的介电平坦化的兼容性
作者:
Seonho Jeong
;
Dasol Lee
;
Hyunjin Kim
;
Haedo Jeong
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
94.
CMP process development for radiation detector fabrication
机译:
辐射探测器制造的CMP工艺开发
作者:
Ina Schubert
;
Klaus-Dieter Preuss
;
Martin Feltz
;
Tobias Wittig
;
Knut Gottfried
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
95.
A Quantitative Analysis of Ceria CMP Microscratch for IC Yield Correlation Learning
机译:
IC屈服相关学习Ceria CMP微颤动的定量分析
作者:
Tae Hoon Lee
;
Hong Jin Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
96.
Study of real time chamber monitoring for the contamination factor on the Post CMP Clean progress
机译:
CMP后污染因子的实时室监测研究
作者:
Sangyoon Shin
;
Joonho Jang
;
Chulmin Shin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
97.
Chase of Nanometer Topography in CMP for 3D Integration
机译:
CMP纳米纳米地形追逐3D集成
作者:
Catherine Euvrard
;
Yorrick Exbrayat
;
Cedric Perrot
;
Aurelien Seignard
;
Sebastien Mermoz
;
Viorel Balan
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
98.
Evaluation of Polyurethane Pads Properties for Effective Use in Planarization Process
机译:
基于平面化过程中有效使用的聚氨酯焊盘性能评价
作者:
Hyunjae Chung
;
Cheolmin Shin
;
Yinhua Jin
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
99.
Cu Barrier Metal Slurry for Reducing Defect-Level and Enhancing Removal Performances
机译:
Cu阻挡金属浆料降低缺陷水平并增强去除性能
作者:
Seungchul Hong
;
Jinhyuk Lim
;
Hyungoo Kang
;
Gyuan Jin
;
Byoungsoo Kim
;
Seunghyun Lee
;
Youngho Kim
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
关键词:
Planarization;
Copper barrier metal slurry;
Defect reduction;
Dishing;
100.
Formation Mechanism of Cu Flake and Ring Scratch in the Advanced Device Manufacturing
机译:
高级设备制造中Cu薄片和环划痕的形成机制
作者:
Sung Pyo Jung
;
Si Gyung Ahn
;
Ji Chul Yang
;
Hong Jin Kim
;
Madhav Kalaga
;
Gerett Yocum
会议名称:
《International Conference on Planarization/CMP Technology》
|
2017年
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