CMP; Removal Rate; Enhanced Slurry; Nanobubbles; Silicon Carbide;
机译:4H-SiC衬底高去除率化学机械抛光浆料的反应方法研究
机译:OH-对β-Ga2O3(100)衬底的化学机械抛光使用碱性浆料的影响
机译:OH的作用?碱性浆料对β-Ga2O3(100)基板进行化学机械抛光的研究
机译:SiC基板的化学机械抛光使用含有纳米泡的增强浆料具有纳米泡的含有血浆产生的活性气体
机译:研究金属和介电化学机械抛光中的浆料系统。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:单晶硅和蓝宝石衬底化学机械抛光过程中化学反应层的形成机制