首页> 中国专利> 含有铜基掺杂剂的氧化铟纳米线、其形成方法和含有该氧化铟纳米线的气体传感器及形成多个含有金属酞菁的纳米线的方法、纳米线装置和含有多个金属酞菁纳米线的气体传感器

含有铜基掺杂剂的氧化铟纳米线、其形成方法和含有该氧化铟纳米线的气体传感器及形成多个含有金属酞菁的纳米线的方法、纳米线装置和含有多个金属酞菁纳米线的气体传感器

摘要

根据本发明的实施例,提供了形成包含铜基掺杂剂的氧化铟纳米线的方法。所述方法包括提供铟基前体材料和铜基掺杂剂前体材料,以及进行热蒸发处理使所述铟基前体材料和铜基掺杂剂前体材料蒸发,以在基底上形成包含铜基掺杂剂的氧化铟纳米线。根据本发明的另外的实施例,还提供了包含铜基掺杂剂和气体传感器的氧化铟纳米线。根据本发明的另外的实施例,还提供了形成包含金属酞菁的多个纳米线的方法、纳米线装置和气体传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN107407655A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南洋理工大学;

    申请/专利号CN201580071823.6

  • 申请日2015-11-02

  • 分类号

  • 代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄琳娟

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2023-06-19 03:54:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/414 申请日:20151102

    实质审查的生效

  • 2017-11-28

    公开

    公开

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