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机译:4H-SiC衬底高去除率化学机械抛光浆料的反应方法研究
Infratech Section, Research and Development Department, Technology Division, Nitta Haas Inc., Kyotanabe, Kyoto 610-0333, Japan,Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan;
Infratech Section, Research and Development Department, Technology Division, Nitta Haas Inc., Kyotanabe, Kyoto 610-0333, Japan;
Infratech Section, Research and Development Department, Technology Division, Nitta Haas Inc., Kyotanabe, Kyoto 610-0333, Japan;
Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan;
机译:考虑不同体积浓度的浆料化学反应效果的理论模型与磨料去除深度的实验及硅晶片化学机械抛光效果的探讨
机译:柔性不锈钢基材化学机械抛光的浆料组合物的电化学分析
机译:化学浆料对光学硅基板固定磨料化学机械抛光的影响
机译:通过化学均匀性蚀刻增强抛光浆料去除硅衬底上的小丘缺陷的去除特性
机译:化学机械抛光中浆料流和材料去除的多尺度建模。
机译:量子机械方法预测精确的热力学生物化学反应
机译:焊盘表面粗糙对大直径硅晶片化学机械抛光中施加到GaN基LED衬底的影响