摘要:本文研究了存在喷射的情况下电子芯片流动沸腾换热情况.硅片尺寸为10×10×0.5mm3,通过干腐蚀技术在其表面加工出宽×高分别为30×60μm2,50×60μm2的微结构,研究了过冷度为35K,横流速度为0.5,1.5m/s,喷射速度为0,1,2m/s时的芯片在FC-72中的换热情况,并和同工况下的光滑芯片作了对比.结果表明,方柱微结构能明显强化芯片换热性能.喷射的加入,提高了芯片在高热流密度下的换热性能,尤其是低流动高喷射时,强化效果更加显著,随着横流速度的增加,喷射的强化效果逐渐减弱,临界热流密度提高程度减小.