机译:超低压数字VLSI电路的隧道FET:第一部分—器件级的器件-电路相互作用和评估
Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica, Universit?? di Udine, Udine, Italy;
Capacitance; Doping; Integrated circuit modeling; Logic gates; MOSFET; Very large scale integration; Device-circuit interaction; Device???circuit interaction; VLSI; VLSI.; tunnel FET; ultralow power; ultralow voltage;
机译:用于超低压数字VLSI电路的隧道FET:第二部分–电路级评估和设计角度
机译:使用杂通道MOSFET和隧穿FET器件评估0.2 V以下的高速低功率电路
机译:用于低功耗和节能数字电路的陡峭亚阈值斜率n型和p型隧道FET器件
机译:使用混合隧穿FET和FinFET器件评估超低电压应用的节能锁存电路
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:使用异质沟道mOsFET和隧道FET器件评估低于0.2 V的高速低功率电路
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模