...
机译:使用杂通道MOSFET和隧穿FET器件评估0.2 V以下的高速低功率电路
Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Capacitance; Delays; Inverters; Leakage currents; Logic gates; MOSFET; Tunneling; Hetero-channel MOSFET; high-speed; low-power; tunnel FET;
机译:用于低功耗和节能数字电路的陡峭亚阈值斜率n型和p型隧道FET器件
机译:超低压数字VLSI电路的隧道FET:第一部分—器件级的器件-电路相互作用和评估
机译:0.18μMMOSFET中热载波降解的研究,用于评估装置寿命和数字电路性能
机译:使用混合隧穿FET和FinFET器件评估超低电压应用的节能锁存电路
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:使用异质沟道mOsFET和隧道FET器件评估低于0.2 V的高速低功率电路
机译:用于节能数字集成电路的mOsFET替换器件