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乔恩明; 薛玉均; 刘敏; 张乃国;
《电子元器件应用》杂志社;
机译:使用最新的栅极驱动IC的电机驱动电路设计:基于使用MOSFET和栅极驱动IC的自举电源设计实例,重点关注V {sub}的下冲,包括使用IGBT时的注意事项解释电机驱动电路的设计
机译:最新的栅极驱动器设计电机驱动电路使用IC:基于使用MOSFET和栅极驱动IC的自举电源的设计示例,V {Sub}的下降,包括使用IGBT时的音符。电机设计驱动电路
机译:对功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动电路要求的调查
机译:功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动电路要求的调查
机译:两级栅极驱动方案,用于功率MOSFET和IGBT的无故障工作。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:用于三级中性点夹紧转换器的有效IGBT驱动电路
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:MOSFET或绝缘栅双极晶体管功率端级的控制电路具有功率驱动器级,该功率驱动器级由具有电流吸收器和相关电流检测器的输入级控制
机译:用作布置在半导体主体中的MOSFET或IGBT的半导体元件包括具有第一导电性的源极和漏极区域,布置在该源极和漏极区域之间的主体区域以及栅电极
机译:绝缘栅半导体器件功率MOSFET或IGBT
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