机译:浮栅型闪存基于Hf AlO_x的Interpoly电介质的性能和可靠性
IMEC Leuven. RDO/PT Division. Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
flash memory; floating gate; interpoly dielectrics; high-k materials; metal gate; degas; hafnium aluminate; HfAlO_x;
机译:了解HfAlO在浮栅闪存中作为互介电介质的潜力和局限性
机译:规模化多晶硅介电浮栅存储器件中程序饱和度的研究
机译:高$ k $互电介质堆叠的纳米晶体闪存中保持力的有限元建模
机译:深入研究HfAlO层作为未来闪存的互电介质
机译:Algan / GaN Moshfet使用ALD电介质:性能和可靠性研究
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:Sup-45nm节点闪光NAND应用的高k个晶晶电介质彻底调查Si-NaniCrystal存储器