基于PtS2/h--BN/Graphene的浮栅型光电存储器性能研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 浮栅型存储器及其典型材料

1.1.1 工作原理

1.1.2 沟道材料层

1.1.3 隧穿绝缘层

1.1.4 浮栅材料层

1.2 二维浮栅型存储器

1.2.1 性能优势

1.2.2 研究进展

1.3 光电存储及其多值存储

1.3.1 光电存储器

1.3.2 光电多值存储研究进展

1.4 选题的目的意义以及研究内容

第二章 PtS2/h-BN/Graphene器件的构筑及表征

2.1实验部分

2.1.1 材料、试剂与仪器

2.1.2 器件构筑流程

2.2 结果与讨论

2.2.1 光学显微分析

2.2.2 材料厚度分析

2.2.3 稳定性分析

2.2.4 表面电势分析

2.3 本章小结

第三章 PtS2/h-BN/Graphene器件的存储性能研究

3.1 实验部分

3.1.1 实验仪器

3.1.2 电存储性能测试方法

3.1.3 光电存储性能测试方法

3.2 结果与讨论

3.2.1 电存储性能

3.2.2 光电存储性能

3.3 本章小结

第四章 结论与展望

4.1结论

4.2展望

致谢

参考文献