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浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究

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摘要

对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议.

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来源
《质量与可靠性》|2020年第6期|17-22|共6页
作者
刘振旺; 刘岐; 刘文宝; 肖磊; 李清;
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作者单位

中国航天标准化研究所北京 100071;

上海复旦微电子集团股份有限公司上海200438;

中国航天标准化研究所北京 100071;

上海复旦微电子集团股份有限公司上海200438;

上海复旦微电子集团股份有限公司上海200438;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
NAND Flash存储器; 擦写耐久; 数据保持; 试验方法;

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