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刘岐; 沈鸣杰; 董艺;
上海复旦微电子集团股份有限公司,上海 200433;
浮栅型Flash存储器; 电离总剂量效应; 擦写耐久; 数据保持; 可靠性; 试验研究;
机译:浮栅型鳍片通道双栅和三栅闪存的制备及其电学特性的比较研究
机译:总剂量对浮栅阵列中重离子扰动的影响
机译:用于太空应用的原型浮栅MOSFET剂量计的总电离剂量特性
机译:浮栅/隧道SiO / sub 2 /接口对FLASH存储器数据保留可靠性的影响
机译:浮栅半导体存储器件的耐久性表征和改进
机译:动态偏置作为辐射传感器的浮栅MOS晶体管
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)
机译:与栅极放电特性相关的浮栅的自激振荡
机译:浮栅型场效应晶体管,其控制栅施加有用于从p型半导体浮栅撤离载流子的脉冲
机译:电离辐射检测-包括使用带有浮栅的MOSFET晶体管的剂量计,电离辐射通过露天或气体空间等影响栅表面。
机译:增强浮栅晶体管的数据保留的方法,形成浮栅晶体管的方法和浮栅晶体管
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