机译:规模化多晶硅介电浮栅存储器件中程序饱和度的研究
Qimonda GmbH & Co. OHG, Dresden, Germany;
NAND circuits; aluminium compounds; flash memories; silicon compounds; Al2O3; IPD current blocking ability; IPD stacks; NAND application; SiO2; floating-gate cell geometry; program saturation; reachable programmed threshold voltage level; scaled interpoly dielectric floating-gate memory devices; size 48 nm; FG memory devices; Floating-gate (FG) interference; NAND scaling; interpoly dielectric (IPD); parasitic coupling;
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