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机译:非易失性存储器件的ONO多层电介质的厚度缩放限制因素
机译:非易失性存储器件的氧化膜减薄限制和优异的ONO互介电介质
机译:高度稳定的工艺集成和可缩放的ONO互介电介质,适用于嵌入式非易失性存储器应用
机译:叠栅非易失性存储单元中薄氮化物/氧化物互化物电介质的底部氧化物缩放
机译:非易失性存储设备的ONO多晶硅介电比例缩放限制
机译:缩放CMOS和SANOS非易失性半导体存储器件的高k电介质
机译:TiOx / Al2O3双层非易失性电阻的可变性改善界面带工程技术的超薄开关设备Al2O3介电材料
机译:高性能有机薄膜晶体管和使用高介电层的非易失性存储器件
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。