机译:非易失性存储器件的ONO多层电介质的厚度缩放限制因素
机译:非易失性存储器件的氧化膜减薄限制和优异的ONO互介电介质
机译:高度稳定的工艺集成和可缩放的ONO互介电介质,适用于嵌入式非易失性存储器应用
机译:非易失性存储器件的ONO互相介电缩放限制
机译:用于非易失性电荷存储存储设备的铂纳米粒子和高k电介质的原子层沉积。
机译:多肽电介质的非易失性晶体管存储器
机译:在SONOS非易失性存储器件中的ONO植入引起的ono破裂
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。