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【2h】

ONO Ruptures Caused by ONO Implantation in a SONOS Non-Volatile Memory Device

机译：在SONOS非易失性存储器件中的ONO植入引起的ono破裂

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Sang-Yong Kim; Il-Soo Kim;
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年度 2011
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1. ONO Ruptures Caused by ONO Implantation in a SONOS Non-Volatile Memory Device [J] . Kim Sang-Yong, Kim Il-Soo Transactions on Electrical and Electronic Materials . 2011,第1期

机译：由ONOS植入SONOS非易失性存储设备引起的ONO破裂
2. Characterizing damage to ONO dielectrics induced during programming SONOS/NROM~(TM) non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices [J] . Stephen J. Wrazien, Yu Wang, Bilal M. Khan, Solid-State Electronics . 2004,第10a11期

机译：表征在对SONOS / NROM〜（TM）非易失性半导体存储器（NVSM）器件进行编程期间对ONO电介质造成的损坏
3. Characterizing damage to ONO dielectrics induced during programming SONOS/NROM~(TM) non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices [J] . Stephen J. Wrazien, Yu Wang, Bilal M. Khan, Solid-State Electronics . 2004,第10a11期

机译：表征在对SONOS / NROM〜（TM）非易失性半导体存储器（NVSM）器件进行编程期间对ONO电介质造成的损坏
4. ONO Interpoly Dielectric Scaling Limit For Non-volatile Memory Devices [C] . Yamaguchi, Y., Sakagami, . 1993

机译：非易失性存储设备的ONO多晶硅介电比例缩放限制
5. Characterization and Modeling of Non-Volatile SONOS Semiconductor Memories with Gridded Capacitors [D] . Barthol, Christopher John 2015

机译：带有栅状电容器的非易失性SONOS半导体存储器的表征和建模
6. Effects of the Cathepsin K Inhibitor ONO-5334 and Concomitant Use of ONO-5334 with Methotrexate on Collagen-Induced Arthritis in Cynomolgus Monkeys [O] . Hiroyuki Yamada, Hiroshi Mori, Yasutomo Nakanishi, 2019

机译：组织蛋白酶K抑制剂ONO-5334和甲氨蝶呤ONO-5334的联合使用对食蟹猴胶原性关节炎的影响
7. Impact of Dislocations on Gate Oxide in SiC MOS Devices and High Reliability ONO Dielectrics [O] . Satoshi Tanimoto 2016

机译：位错对siC mOs器件中栅氧化层和高可靠性ONO电介质的影响
8. Cycling Endurance of SONOS Non-Volatile Memory Stacks Prepared with Nitrided SiO(2)/Si(100) Intefaces;Electron Device Letters [R] . Habermehl, S. , Nasby, R. D. , Rightley, M. J. 1999

机译：用氮化siO（2）/ si（100）界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母

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