机译:AlN缓冲层对AlGaN / GaN / AlN双异质结构高电子迁移率晶体管的影响
Nano-Optical Engineering Korea Polytechnic University (KPU) Siheung Gyeonggi 427-793 Republic of Korea;
AlN crystal qualities; double heterostructures; high-electron-mobility transistors; metal-organic chemical vapor deposition;
机译:通过直径为4英寸的硅上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的AlN缓冲层厚度来提高击穿电压
机译:具有AlN子缓冲层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:评论'第1 ALN和第2 GAN层对ALGAN / 2ND ALN / 2ND GAN / 1ST ALN /第一个GAN结构'的性能