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史会芳; 李培咸; 李慧;
西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071;
表面形貌; AlGaN; AlN缓冲层;
机译:AlN缓冲层对AlGaN / GaN / AlN双异质结构高电子迁移率晶体管的影响
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:以AlGaN为缓冲层的AlGaN / AlN / GaN / AlGaN双异质结结构的生长与表征
机译:初始AlN成核层顶部初始ALN核核液体和垂直漏电流AlGaN缓冲层的关系与AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管结构的垂直漏电流
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在厚285nm的AlN模板上的厚AlGaN缓冲层上生长的基于AlGaN的MQW
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:AlN层和AlGaN层及其制造方法
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
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