公开/公告号CN207818524U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 广东省半导体产业技术研究院;
申请/专利号CN201721046000.0
申请日2017-08-18
分类号H01L21/02(20060101);H01L33/02(20100101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);
代理机构11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人钱学宇
地址 510000 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2022-08-22 06:14:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
授权
授权
机译: 用于光电应用的晶圆键合方法(AlN,InN,GaN,AlInN,AlGaN,InGaN或AlInGaN)和(ZnS,ZnSe或ZnSSe)
机译: 用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置
机译: 用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置