机译:在蓝宝石上的高质量AlN缓冲层上制造的227-261 nm AlGaN基深紫外发光二极管
机译:在ALN基材上生长的265纳米alga alg紫外线发光二极管的温度依赖性电致发光研究
机译:金属有机氢化物气相外延生长的AlN /蓝宝石模板上的稳健的285 nm深紫外发光二极管
机译:在连接的柱式AlN缓冲器上制造基于AlGaN的深紫外LED
机译:在块状AlN衬底上生长的亚300 nm发光二极管和激光二极管的点缺陷识别和管理。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:227-261NM基于Algan的深度紫外发光二极管,在蓝宝石的高质量Aln缓冲区上制造