机译:广泛的99%杀手缺损4H-SIC外延层向高电流大芯片装置
Sumitomo Electric Industries Ltd;
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Epitaxial Growth; Epitaxial Layer; Chemical Vapor Deposition (CVD); Triangular Defect; Down-Fall;
机译:具有BPD自由重组增强缓冲层的高度可靠的4H-SiC外延晶片,用于高电流应用
机译:快中子辐照对基于CVD 4H-SiC外延层的器件电学特性的影响
机译:外延缺陷对4H-SiC功率器件的性能和可靠性影响
机译:广泛的99%杀手缺损4H-SIC外延层向高电流大芯片装置
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:4H-SiC外延层器件在高分辨率辐射检测中的进展
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长