...
机译:快中子辐照对基于CVD 4H-SiC外延层的器件电学特性的影响
机译:快中子辐照对基于CVD 4H-SiC外延层的器件电学特性的影响
机译:基于4H-SiC外延层的电子辐照X射线探测器的电学表征
机译:基于4H-SiC外延层的电子辐照X射线探测器的电学表征
机译:基于4H-SiC CVD外延层的快中子辐照装置的电学研究
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:基于P型4H-SiC外延层的压阻特性定量分析。
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长