机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长
机译:热壁CVD生长的无意掺杂的4H-SiC外延层的结构和电性能
机译:四个外延石墨烯层的拉曼光谱:在4H-SiC(0001)衬底上生长的大岛和相关的应变分布
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响
机译:热壁CVD在轴上和轴上衬底上生长的4H-SiC厚n和p型外延层的特性
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:基于P型4H-SiC外延层的压阻特性定量分析。
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