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机译:具有BPD自由重组增强缓冲层的高度可靠的4H-SiC外延晶片,用于高电流应用
Sumitomo Electric Industries Ltd. 1-1-1 Koyakita Itami-shi Hyogo 664-0016 Japan;
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Epitaxial growth; Recombination-enhancing buffer layer; Basal plane dislocations; Surface defects; Photoluminescence;
机译:通过三卤化物气相外延和高速晶片旋转,在无缓冲层的4度偏轴Si和C面4H-SiC上进行GaN外延生长
机译:GaN在4度的轴外轴和C脸4H-SiC上外延生长,无缓冲层通过具有高速晶片旋转的三卤化气相外延
机译:在3×150 mm热壁CVD上精确控制掺杂的99.9%无BPD的4H-SiC外延层
机译:高度可靠的4H-SIC外延晶片,具有BPD自由重组增强缓冲层,用于高电流应用
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:使用Nial缓冲层在si(001)晶片上实现高质量外延电流 - 垂直 - 平面巨磁阻伪自旋阀