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机译:外延缺陷对4H-SiC功率器件的性能和可靠性影响
Wolfspeed, A Cree Company;
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Device Reliability; Device Yield; 4H-SiC; Extended Epitaxial Defects;
机译:4H-SiC外延晶片中梯形缺陷和钝三角形缺陷的栅氧化物可靠性
机译:广泛的99%杀手缺损4H-SIC外延层向高电流大芯片装置
机译:超高压双极器件的厚4H-SiC外延生长和缺陷减少
机译:扩展外延缺陷对4H-SIC电源装置的性能和可靠性影响
机译:用深层瞬态光谱法(DLTS)表征4H-SiC的缺陷及其对器件性能的影响
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:si基多层外延功率器件缺陷的X射线形貌研究