机译:在GaAs(001)衬底上制备的浅球形凹坑中生长InAs量子点:扩展的邻近表面集
Surface Science Laboratory, Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, Singapore 117542, Singapore;
A1. atomic force microscopy; A1. reflection high energy electron diffraction; A1. shallow spherically shaped crater; A3. molecular beam epitaxy; A3. quantum dots; B2. Ⅲ―Ⅴ-group elements;
机译:在GaAs(001)衬底上制备的低晶格失配AIGaSb层上InAs量子点的生长
机译:InP(001)上InAs量子线和点的自组织生长:邻近衬底的作用
机译:金属有机化学气相沉积技术在激光(100)GaAs衬底上生长均匀且自对准的InAs量子点
机译:AFM研究了在GaAs(001)上有序INAS量子点的MBE扭转流量生长朝向010方向上的张视情况
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:在(001)和(311)B GaAs表面上生长的InAs / AlAs量子点超晶格的拉曼散射
机译:生长方式对在邻近GaAs(001)衬底上生长的InAs的二维转变的影响