测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率

郭祥; 罗子江; 张毕禅; 尚林涛; 周勋; 邓朝勇; 丁召

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测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率

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报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.

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来源
《物理实验》|2011年第1期|11-15|共5页
作者
郭祥; 罗子江; 张毕禅; 尚林涛; 周勋; 邓朝勇; 丁召;
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作者单位

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
MBE; RHEED; GaAs(001)衬底; 强度振荡; InAs生长速率;
入库时间 2023-07-25 16:11:29

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