机译:异质结垂直FET再访:225 GHz大电流工作的潜力
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机译:具有横向和垂直隧穿路径的高性能InAs-Si异质结2D-2D隧道FET设计
机译:基于TCAD评估的电路级性能比较研究源口袋工程术语All-Si垂直隧道FET和GASB / SI异质结垂直隧道FET
机译:结合了硅锗异质结的垂直环绕栅MOSFET。
机译:MoS2 / BP异质结FET的工作机制
机译:通过自顶向下方法制造的InGaas / Inas异质结垂直纳米线隧道FET