基于异质结调控Ga2O3 FETs电学性能的研究

目录

声明

摘要

符号表

1．1引言

1．3 β-Ga2O3薄膜制备方法

1．4 Ga2O3 FETs的研究进展

1．4．1增强型Ga2O3 FETs研究进展

1．4．2 Ga2O3 FETs的迁移率研究进展

1．5本论文的主要工作

第二章Ga2O3 FETs的制备与性能研究

2．2．2标记点制作

2．2．3 Ga2O3薄膜制备

2．2．4源漏电极制备

2．2．5器件退火

2．4Ga2O3 FETs欧姆接触优化

2．4．1通过ICP优化欧姆接触的原理

2．4．2ICP处理时长对欧姆接触的影响

2．5本章小结

第三章表面钝化和异质结Ga2O3 FETs

3．1器件结构与工艺

3．1．2IGZO／Ga2O3异质结FETs的结构与工艺

3．2Al2O3／Ga2O3异质结构对器件性能的影响

3．3IGZO／Ga2O3异质结对器件性能的影响

3．3．1 n型IGZO的制备与表征

3．3．2不同厚度IGZO／Ga2O3异质结器件的性能

3．4本章小结

第四章SnO／Ga2O3 p-n结FETs

4．2SnO／Ga2O3 P-n结FETs的结构与工艺

4．3SnO／Ga2O3 P-n结对器件性能影响

4．3．2 4 nm SnO／Ga2O3 p-n结对器件性能的影响

4．4不同厚度SnO／Ga2O3 p-n结器件的性能

4．5本章小结

5．1结论

5．2展望

致谢

参考文献

攻读学位期间发表的学术论文情况