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Si掺杂对β-Ga2O3晶体电学性能影响研究

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本文采用导模法(EFG法)首次在国内生长出了大尺寸、高质量β-Ga2O3单晶.对掺杂和未掺杂的β-Ga2O3晶片进行电学性能测试,研究了Si元素掺杂对β-Ga2O3电学性能的影响.Si掺杂β-Ga2O3晶体的电阻率由未掺杂的106Ω·cm降低至0.02Ω·cm.此外,对Si掺杂样品在1200℃进行退火,时间为20h,晶体重新变为无色,表明Si掺杂形成的是浅能级缺陷.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||191-192|共2页
会议地点西宁
作者
张胜男; 练小正; 程红娟; 张颖武; 于凯;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
超宽禁带半导体; β-氧化镓单晶; 导模法; 硅掺杂; 电学性能;

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