6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究

摘要

给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC异质结源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点.文中分析了该器件的电流输运机制,并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟,给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参数的关系.