机译:利用新型多声子陷阱辅助隧穿模型对MOS和闪存器件中泄漏电流进行统计仿真
Dipt. di Sci. e Metodi dell'Ingegneria, Universita di Modena e Reggio Emilia, Italy;
circuit simulation; statistical analysis; leakage currents; MOS memory circuits; flash memories; tunnelling; integrated circuit modelling; integrated circuit reliability; statistical simulation; leakage currents; MOS memory devices; flash memory devi;
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:使用陷阱辅助隧穿和Poole-Frenkel发射对MOSHEMT中的正向栅极泄漏电流建模
机译:用于闪存中异常应力引起的泄漏电流(SILC)的新的两阱隧穿模型
机译:非易失性存储器单元中陷阱辅助泄漏的瞬态装置模拟
机译:多峰谐振隧穿二极管(RTD)器件和基于RTD的多值存储器的建模和仿真。
机译:低于200°C的低温溶液处理的可调闪存设备无隧道层和阻挡层
机译:基于短通道MOS晶体管的闪存元件中寄生隧道电流的仿真
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395