机译:非掺杂圆柱型全栅型MOSFET阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型
MOSFET; Poisson equation; numerical analysis; semiconductor device models; 2D Poisson equation; 3D numerical simulation; MOSFET; drain-induced barrier lowering; semiconductor device modeling; subthreshold swing; threshold voltage; Device modeling; MOSFET; downscaling;
机译:围绕MOSFET的未掺杂圆柱栅极的二维分析阈值电压滚降和亚阈值摆幅模型
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:圆柱栅MOSFET新器件结构的阈值电压VTH,亚阈值摆幅和漏极诱导的势垒衰减(DIBL)的解析模型
机译:阈值电压的三维(3-D)分析建模,DIBL和Qualtical围绕MOSFET的圆柱形栅极的摆动
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:使用中心电位的圆柱形栅极全部(CGaa)mOsFET的阈值电压分析建模
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究