机译:使用In-Ga-ZnO薄膜作为电荷陷阱层和有源沟道层的非易失性电荷陷阱存储器晶体管的工艺优化和器件表征
Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, South Korea;
Charge trap memory (CTM); IGZO; oxide semiconductor; thin-film transistor (TFT);
机译:电荷陷阱层电导率控制对使用IGZO通道和ZnO电荷陷阱层的顶栅存储薄膜晶体管的器件性能的影响
机译:具有顶部门结构的In-Ga-Zn-O有源沟道和ZnO电荷陷阱层的非易失性电荷陷阱存储器晶体管
机译:InGaZnO的Er 2 sub> O 3 sub>和ErTi x sub> O y sub>电荷陷阱层的结构和电性能的比较薄膜晶体管非易失性存储设备
机译:利用HfO
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:具有原子层沉积的ZnO电荷俘获层的无定形IN-ZN-O薄膜晶体管存储器的电压极性依赖性编程行为