利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件

摘要

本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。