机译:ado铝氧化物在电荷陷阱型非易失性存储器件中的应用对结构和成分的依赖性
Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology,373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology,373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
National Nanofab Center, 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
National Nanofab Center, 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
National Nanofab Center, 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701,Republic of Korea;
Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701,Republic of Korea;
Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology,373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
机译:ado铝氧化物在电荷陷阱型非易失性存储器件中的应用对结构和成分的依赖性
机译:铝掺杂的氧化Ga作为阻挡层,用于改善电荷陷阱型非易失性存储器件中的电荷保留
机译:具有高k介电隧穿势垒的氧化钌金属纳米晶体电容器,用于纳米级非易失性存储器件应用
机译:基于二元过渡金属氧化物的逐层组装非易失性存储器件的制造
机译:氧化钛非易失性存储器件及其应用。
机译:聚酰亚胺/氧化石墨烯纳米复合材料的制备及其在非易失性电阻存储器件中的应用
机译:氧化氧化物RRAM装置电阻切换和传导机制的研究,用于新兴的非易失性存储器应用
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。