声明
摘要
符号表
1．1引言
1．2电荷陷阱存储器的发展
1．3电荷陷阱存储器的工作原理
1．4高κ材料
1．5 Al2O3在电荷陷阱存储器的应用
1．6本论文的主要内容
第二章实验仪器与表征工艺
2．1电子束蒸发
2．2原子层沉积工艺系统
2．3磁控溅射
2．4半导体器件参数分析仪
2．5原子力显微镜
2．6管式炉
第三章基于Al2O3器件的制备与性能研究
3．1 Al2O3 MOS器件的制备
3．1．1衬底清洗
3．1．2沉积Al2O3薄膜
3．1．3蒸镀金属电极
3．1．4退火处理
3．2沉积温度与退火对MOS器件的影响
3．2．1沉积温度与退火对漏电流的影响
3．2．2沉积温度与退火对介电性能的影响
3．2．3沉积温度与退火对表面形貌的影响
3．3退火方式对Al2O3 MOS的影响
3．4 Al2O3 MOS的恒压应力测试
3．5 Al2O3 TFT的制备与表征
3．5．2 Al2O3 TFT的输出／转移特性
第四章Al2O3在电荷陷阱存储器中的应用
4．1电荷陷阱存储器的制备
4．2 CTM的存储特性
4．3 CTM的保持特性
第五章总结与展望
5．1研究总结
5．2工作展望
致谢
参考文献
山东大学;
