机译:确定SOI CMOS器件浮体电压的简单方法
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:栅极到本体隧穿电流的物理模型及其对浮体PD / SOI CMOS器件和电路的影响
机译:超薄氧化物部分耗尽SOI浮体CMOS的栅-体泄漏和电容的改进的表征方法
机译:SOI MOSFET中的异常浮体效应:低压CMOS?
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:一个简单而有效的校准方法来确定液体处理纳米分配器设备的精度
机译:一种简单有效的校准方法,可确定液体处理纳米分配器设备的精度