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翁寿松;
无锡市罗特电子有限公司;
江苏无锡214002;
SOI技术; SOI; CMOS器件; 薄膜SOI; CMOS器件; 应用;
机译:XCT-SOI CMOS器件的低能耗运行机制— 20 nm以下制程的前景
机译:A15 nm超薄体SOI CMOS器件,具有双提升的源极/漏极,适用于90 nm模拟应用
机译:15纳米超薄体SOI CMOS器件,具有双提升的源极/漏极,适用于90 nm模拟应用
机译:使用20nm栅极长度的45nm节点UTSOI晶体管的自对准COMOS器件在高性能CMOS器件中降低高性能CMOS器件源/漏极串联电阻的新方法
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:CMOS器件在传染病诊断和控制的应用
机译:XCT-sOI CmOs器件的低能量工作机制 - 亚20nm态的前景
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能
机译:升高的源/漏SOI晶体管,以及使用超薄SOI(绝缘体上硅)衬底的CMOS器件及其制造方法
机译:通过侧壁图像传输(SIT)制造ETSOI CMOS器件的方法
机译:片上电容器与CMOS器件结合在极薄的绝缘体上半导体(ETSOI)衬底上
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