机译:15纳米超薄体SOI CMOS器件,具有双提升的源极/漏极,适用于90 nm模拟应用
机译:A15 nm超薄体SOI CMOS器件,具有双提升的源极/漏极,适用于90 nm模拟应用
机译:具有135GHzf {sub}(max)的70 nm SOI-CMOS,具有双偏置注入源极-漏极扩展结构,适用于RF /模拟和逻辑应用
机译:具有用于RF /模拟和逻辑应用的双偏移植入源 - 漏极扩展结构的70 NM SOI-CMOS,具有用于RF /模拟和逻辑应用的双偏移源 - 漏极扩展结构
机译:通过RSD(升高的源/漏)和热循环/间隔器工程增强了SOI上用于90 nm技术的高性能CMOS器件
机译:低于100nm CMOS和低于70nm完全自对准双栅极CMOS的钨/硅锗/硅凸起单源/漏极的设计,制造和表征
机译:用于高速ATLAS Muon漂移管检测器的28 nm批量CMOS模拟前端
机译:使用90nm CMOS技术设计常见源/排水活性酥油云