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Design of Common-Source/Drain Active Balun Using 90nm CMOS Technology

机译：使用90nm CMOS技术设计常见源/排水活性酥油云

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Frederick Ray I. Gomez; Maria Theresa G. De Leon; John Richard E. Hizon;
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年度 2019
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1. The Design of an Ultra-Low-Power 7.5 GHz LNA in 0.13 μm CMOS Technology with Cascode and Common-Source Topology [J] . Hemad Heidari Jobaneh International review of electrical engineering . 2020,第4期

机译：用CASCODE和共源拓扑结构设计超低功率7.5GHz LNA的0.13μmCMOS技术
2. Low Power, Low Noise Amplifiers Design and Analysis for RF Receiver Front end Using 90NM CMOS Technology [J] . M. Ramana Reddy, N.S Murthy Sharma, P. Chandra Sekhar International Journal of VLSI Design & Communication Systems . 2016,第1期

机译：采用90NM CMOS技术的射频接收器前端低功耗，低噪声放大器的设计与分析
3. Design a 10-Bit 100MHz pipelined ADC using RB-OTA in 90nm CMOS technology [J] . Ahmad Ayatollahi, S. Hassan Mirhosseini IEICE Electronics Express . 2012,第8期

机译：使用90nm CMOS技术的RB-OTA设计10位100MHz流水线ADC
4. Design of 2.4 GHz Ultra Wide Band Low Noise Amplifier and Area Reduction Using Active Inductor in 90nm CMOS Technology [C] . Nosheen Afroz, Ahmad Sayeed Sayem, Asif Hossain, International Conference on Innovation in Engineering and Technology . 2019

机译：2.4 GHz超宽带低噪声放大器和90nm CMOS技术中有源电感的区域减少
5. Design of a wideband low-power continuous-time sigma-delta (SigmaDelta) analog-to-digital converter (ADC) in 90nm CMOS technology. [D] . Chen, Fang. 2009

机译：采用90nm CMOS技术的宽带低功耗连续时间sigma-delta（SigmaDelta）模数转换器（ADC）的设计。
6. Design of Signal Generators Using Active Elements Developed in I3T25 CMOS Technology Single IC Package for Illuminance to Frequency Conversion [O] . Roman Sotner, Jan Jerabek, Ladislav Polak, 2020

机译：使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
7. Design of Common-gate with Common-source Active Balun for WiMAX Receiver Front-end [O] . Frederick Ray I. Gomez, Maria Theresa G. De Leon, John Richard E. Hizon 2019

机译：用于WiMAX接收器前端的共用源AVECTIVE BALUN的共用门设计

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