机译:具有TaSiN栅极,HfO / sub 2 /栅极电介质和升高的源极/漏极扩展的全耗尽SOI器件
Motorola Inc., Austin, TX, USA;
silicon-on-insulator; CMOS integrated circuits; MOSFET; hafnium compounds; dielectric thin films; integrated circuit metallisation; tantalum compounds; fully-depleted SOI devices; CMOS transistors; CMOSFETs; TaSiN gate material; selective epitaxial S;
机译:具有HfO {sub} 2栅介质和TaN栅电极的Pt-Germanide肖特基源/漏锗p-MOSFET
机译:考虑到垂直和边缘位移效应的HfO {sub} 2高k栅极介电常数的纳米FD SOI CMOS器件的栅极电容行为,通过二维仿真
机译:三金属栅极(TMG)全耗尽型隐式源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET中表面电势的二维分析模型
机译:具有金属栅极(TaSiN)栅极,高K(HfO / sub 2 /)电介质和升高的源极/漏极扩展的超薄体全耗尽SOI器件
机译:高级MOSFET器件的源/漏和栅极设计。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:通过并入HfO(2)层作为栅极电介质,在InGaAs / InP中实现的栅极定义量子点器件