机译:具有浅源极结和轻掺杂漏极的双垫片I-MOS晶体管,可降低工作电压并增强器件性能
Device optimization; impact ionization; impact-ionization MOS (I-MOS); subthreshold swing;
机译:低温N沟道单漏极和轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管的漏极结附近的热载流子降解以及电场和电子浓度
机译:双材料栅轻掺杂漏极和源极石墨烯纳米带场效应晶体管性能指标的数值研究
机译:SiC衬底上不对称轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管的射频功率性能增强
机译:具有增强的硅碳源极/漏极的应变N沟道冲击电离MOS(I-MOS)晶体管,可提高性能
机译:增强电解质门控晶体管的动态性能:朝向快速切换,低工作电压印刷电子产品
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
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机译:大漏极电压下结型场效应晶体管的场分布。