...
机译:SiC衬底上不对称轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管的射频功率性能增强
Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.;
Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan, R.O.C.;
Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.;
Cyntec Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
Chung-Shan Institute of Science and Technology, Taoyuan, Taiwan, R.O.C.;
Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.;
机译:互补金属氧化物半导体兼容的非对称轻掺杂漏极金属氧化物半导体晶体管的改进射频功率特性
机译:65纳米节点射频金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极偏置和限制因素提高射频性能
机译:通过分子碳离子注入和激光退火形成的碳掺杂源极/漏极增强n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管性能的分析方法
机译:双轻掺杂源极和漏极区的石墨烯纳米带场效应晶体管的真实空间模拟
机译:用于低功率逻辑应用的铟镓砷化物埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:源极/漏极寄生电阻对超薄体III-V沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件性能的影响
机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。