机译:带有硅碳源/漏区的应变SOI n沟道晶体管,用于增强载流子传输
机译:对硅-碳源-漏极应变n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中漏极电流波动的理解
机译:应变N沟道场效应晶体管中的载流子传输,其沟道紧邻硅碳源/漏应力源
机译:具有升高的硅 - 碳源/排水管的紧张N沟道冲击电离MOS(I-MOS)晶体管,用于性能增强
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:高性能N沟道多晶锗薄膜晶体管通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火源和排水掺杂剂活化
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。