机译:GaN基倒装芯片绿色微型LED的不均匀发光的起源
Department of Electronic Science Fujian Engineering Research Center for Solid- State Lighting Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices Xiamen University Xiamen China;
Department of Electronic Science Fuj;
Current density; Proximity effects; Light emitting diodes; Indium tin oxide; Flip-chip devices; Substrates; Nonhomogeneous media;
机译:银圆盘中的表面等离激元提高了GaN基倒装芯片发光二极管的发射效率
机译:具有顶部发射和倒装芯片结构的GaN基发光二极管的电学和光学特性
机译:铟本地化诱导的半极(11-22)GaN的发光二极管红色,绿色和蓝色排放
机译:局域表面等离子体耦合的基于GaN的绿色发光二极管的增强的发射和调制特性
机译:基于GaN的微LED可见光通信视线VLC,带有主动跟踪和无线线VLC演示
机译:蒙特卡洛射线追踪法对AlGaInP基红色和GaN基蓝/绿倒装芯片微型LED的光提取分析
机译:结构有序和无序的钼酸钙粉末中绿光发光发射的不同来源
机译:基于GaN微LED阵列的全尺寸自发光蓝色和绿色微显示器