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GaN基高亮度绿色LED材料蓝带发光特性研究

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摘要

本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品的p型层蓝发光特性进行研究.

著录项

来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|86-86|共1页
会议地点牡丹江
作者
邵嘉平; 郭文平; 胡卉; 孙长征; 郝智彪; 罗毅;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;TN304.23;
关键词
GaN; LED; 蓝带; 发光二极管; 多量子阱结构; 发光特性;

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专利

1. GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响 [J] . 邵嘉平 ,郭文平 ,胡卉 . 半导体学报：英文版 . 2004,第11期
2. 高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 [J] . 刘坚斌 ,李培咸 ,郝跃 . 量子电子学报 . 2005,第5期
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6. GaN基高亮度蓝光LED材料的生长研究 [C] . 郭文平 ,胡卉 ,韩彦军 . 第八届全国LED产业研讨与学术会议 . 2002
7. 高亮度GaN基蓝光LED的设计与实验研究 [A] . 郭浩 . 2014

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