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文尚胜;
华南理工大学光通信材料研究所;
高亮度; GaN; 蓝色LED; 欧姆接触; 刻蚀; 发光二极管; 氮化镓; 发展现状; 外延生长;
机译:三菱化学,GaN衬底为蓝色LED为高亮度白色LED和GAN板为蓝色LED
机译:使用薄缓冲层技术在150 mm Si衬底上生长的高亮度GaN-on-Si基蓝色LED
机译:三菱化学开发用于高亮度白色LED的荧光粉和用于蓝色LED的GaN基板
机译:在湿法蓝宝石衬底上生长的高亮度GaN基蓝色LED
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:形成蓝色LED八周期In0.2Ga0.8N / GaN量子阱的软约束电势的生长顺序中的量子势垒的最佳硅掺杂层。
机译:分布式触点翻转芯片Ingan / GaN蓝色LED;与传统LED的比较
机译:基于GaN微LED阵列的全尺寸自发光蓝色和绿色微显示器
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:通过将半极性或非极性GaN上的蓝色LED与半极性或非极性GaN上的黄色LED结合使用来产生高偏振白光源
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